英特尔硅光电子研究加速进行：未来将无处不在

CNET科技资讯网 6月18日 圣克拉拉报道（文/梁钦）：今日，CNET科技资讯网记者在英特尔硅光电子实验室了解到，英特尔硅光电子相关研究取得进一步成果。

据英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍，英特尔已经研制出了传输速率可以达到200Gb/s的集成硅光电子发射器，它是一颗集成硅光电子的测试芯片，共有8个通道，每个传输速率为25Gb/s，能够达到200Gb/s，未来路线图是要达到1Tb/s。

图为英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍英特尔硅光电子研究进展

英特尔企业技术事业部光电子技术实验室高级研究员亢宜敏告诉CNET科技资讯网，硅光电子学可以应用于对带宽需求高的远程医疗和3D虚拟世界等未来数据密集型计算领域。要用硅器件来代替以往由昂贵的半导体制造的光电器件，对于IT产业是一大革命。

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