传英特尔三星东芝将联合开发10纳米闪存芯片工艺

CNET科技资讯网11月1日国际报道 路透社报道称，英特尔、三星、东芝已经达成一项联合开发协议，开发10纳米闪存芯片生产工艺。三家公司预计将于2016年起采用10纳米工艺生产闪存芯片。

英特尔发言人查克·穆洛伊(Chuck Mulloy)对此表示，这显然是一个传言，根据我们的一贯政策，我们不会对这类传言发表评论。这些传言来自日经新闻的报道。

目前，这三家公司都采用20纳米级别的工艺生产闪存芯片。25纳米相当于人类头发直径的三千分之一。

日经新闻报道称，尽管三家公司都可能利用新开发的工艺生产闪存芯片，英特尔还将把新工艺用于生产处理器。

报道还称，该项目将耗资1.22亿美元，日本经济贸易产业省将提供约6100万美元资金。

市场研究公司iSuppli预测，2013年全球闪存卡发货量将由今年的5.3亿块增长至95亿块，市场规模将达到265亿美元。在智能手机的推动下，大容量闪存芯片还有很大的增长空间。要与硬盘竞争，NAND闪存芯片的成本必须大幅度下降。提高存储密度可以降低单位存储容量的成本。

缩小芯片中的电路尺寸存在一些难以克服的问题，其中最突出的是数据错误率，需要开发更先进的纠错技术。