IDT推出全球精度最高的全硅CMOS振荡器

混合信号半导体解决方案供应商 IDT 公司宣布，推出业界精度最高的全硅 CMOS 振荡器，在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。
 
IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口，如千兆以太网、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。该产品是通用石英晶体振荡器的一种低功耗、低抖动替代方案，因此非常适合服务器和企业设计，以及采用以太网端口的数据通信设备。
 
IDT 通信事业部副总裁兼总经理 Fred Zust 表示：“凭借其 100ppm 的总频率误差，IDT3C02不愧为计时行业的一个重大突破。作为一个晶振替代品的理想选择，它扩展了今年早些时候发布的晶圆形式全硅 CMOS 振荡器，扩展了 IDT 在计时领域的领导地位。”
 
IDT3C02 振荡器可产生高精度的片上频率，而无需依赖压电或机械谐振器。该器件支持标准的现成可用的 CMOS 工艺，采用了可编程架构，支持各种配置选项，以适应广泛的应用范围。也许这些选项中最为关键的是工厂可编程的工作频率，与传统的石英解决方案相比，有助于缩短交货时间，包括特殊或罕见的频率。
 
此外，IDT3C02 振荡器采用一个独特的模拟核设计，其功耗低于 2.5mA（空载典型值），从而为基于石英和 PLL 的高频率振荡器提供了一种低功耗替代方案，同时在 1MHz 载波偏移条件下实现了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪声。该器件采用业界标准的 5×3.2mm 石英晶体兼容封装，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封装，无需陶瓷密封的封装。
 
IDT3C02 还具有 200nA（典型值）的低功耗待机模式，以及 100μs（典型值）的快速启动时间。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计，允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。由于该器件不包含任何运动元件，且不使用机械或压电电子谐振来产生电子频率，全硅的单片方案实现了优良的耐冲击和振动能力。