中移动王红宇：TD芯片明年将采用65纳米制作工艺

CNET科技资讯网 12月10日 北京报道（文/孙封蕾）：今天，在2009中国手机产业发展大会上，中国移动数据部副总经理王红宇透露，今年年底90纳米的TD-SCDMA芯片就能问世，到明年，TD-SCDMA手机芯片将达到65纳米，敢追WCDMA手机芯片工艺。

王红宇表示，从今年开始，中国移动将会把TD-SCDMA手机进行等级划分，根据手机本身的水平采取不同的终端补贴政策，提高优秀手机在渠道上的性价比。

王红宇坦承，直到今年6月份还没有优秀级的TD-SCDMA手机产品，到现在已经有13款优秀级产品，这些优秀的手机产品在性能、配置、可用性、易用性等方面都有了不错的表现。

中国移动很清楚的知道，要想做出优秀的手机产品，就一定要提高手机芯片的集成度，这样才能在手机上做出更多的文章。

在主题演讲中，王红宇还回顾了中国移动终端管理的历史。

中国移动刚刚进入模拟时代时，根本就不会去管手机终端的问题。进入2G时代，中国移动用开放的心态看待手机终端，并没有过多介入到手机终端中去。

但是到了3G时代，TD-SCDMA面临严重的终端匮乏，中国移动才开始把更多注意力关注到手机终端上。

2008年初到2008年底，几乎没有什么像样的TD-SCDMA手机，外观差，性能、配置等各方面都差强人意，手机的水平才达到2000年的手机水平，中国移动自己也常常遭遇尴尬，送人的TD-SCDMA手机竟然出现当场不能开机的情况。