ST提升航天级功率电子元器件市场供给和产品价值

随着航天技术商机持续增长，欧洲成功研发完全航天级质量的功率器件，进一步简化航天工业元器件的采购流程

2011年6月14日，随着全球对卫星通信、卫星电视、卫星天气预报及卫星地理数据的需求不断升温，横跨多重电子应用领域的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。

据卫星产业协会报告显示，全球卫星市场正在稳步增长，每年收入达1600多亿美元 。虽然核心电子元器件产自于全球不同地区，包括欧洲和亚洲，但获得航天应用认证的器件主要来自美国。意法半导体与欧洲航天局（ESA）和法国航天研究中心（CNES）合作研发的全新抗辐射功率MOSFET系列完全符合欧洲航天元器件协调委员会（ESCC）的技术标准。

意法半导体不仅扩大了全球航天质量级元器件的货源，还成功打破可能拖延项目工期或禁止使用某些器件和进入某些市场采购限制。意法半导体功率晶体管产品部总经理Ian Wilson表示：“这款新的防辐射功率MOSFET系列产品是根据航天技术要求设计的，也是首款来自欧洲半导体厂商制造的航天级元器件。”

全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A，由5款N沟道和P沟道产品组成，包括额定电压100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；额定电压60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P沟道器件的额定电流为34A。低栅电荷量是意法半导体STripFET制程的特性，可提升晶体管的开关性能，是直流功率模块如电机控制器和线性稳压器、线路开关和电子限流熔断器的理想选择。

意法半导体航天级功率MOSFET晶体管的主要特性：

• 快速开关性能

• 100%雪崩测试

• 密封式封装

• 可承受70/100 krad总离子辐射量(TID)

• 抗SEE辐射

STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列现已上市，达到EM（工程模型）或 ESCC的航空质量级标准，封装采用TO254-AA和TO-39通孔封装。此外，意法半导体还提供SMD.5贴装版抗辐射晶体管。STRH100N10达到了 ESCC 5205/021技术标准，其它产品预计将于2011年下半年达到 ESCC 相关标准。
 
关于航天级半导体

抗辐射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的辐射源，例如，范艾伦辐射带、太阳风和太阳耀斑以及银河宇宙射线。

当被迫受到伽玛射线和重离子辐射时，抗辐射或防辐射元器件能够在这种环境长时间工作。MOSFET晶体管的抗辐射方法是，优调产品设计和制程，提高耐辐射能力，最大限度减少重要参数因辐射而发生的漂移或偏差，例如阈压、泄漏电流和动态特性。抗辐射元器件须接受抗辐射测试，如 Co60伽玛射线和重离子辐射，这些测试是ESCC22900和 ESCC25100技术规范规定的抗辐射测试。所有器件必须通过这些测试才能获得ESCC质量认证。

为全球航天工业提供经济且高性能的航天级功率MOSFET货源，意法半导体优化经过市场验证的STripFET制程，使其兼容制造防辐射元器件的技术和制程。